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科研進展

2021年06月03日
中國科大在硫化銻缺陷性質研究中取得進展

近日,愛游戲app陳濤教授團隊研究了硫化銻 (Sb2S3) 薄膜中深能級缺陷態性質,建立了低維材料硫化銻深能級缺陷與其結構及化學計量比之間的依賴關系,揭示了低維材料獨特的缺陷機制,從而為調控該類材料的性質、為制備高質量的太陽能電池薄膜材料提供了新的思路。該成果以“Revealing composition and structure dependent deep-level defect in antimony trisulfide photovoltaics”為題于2021年5月31日發表在Nature communications (2021,12:3260).

塑煉銻不是種新的光伏系統發電建筑物料,其禁帶寬的配置度為1.7eV,十分的適合做疊層陽光直曬星能電瓶板充電的頂電瓶板充電光消化吸收建筑物料。除此之外,塑煉銻現實存在獨一無二的準一維晶胞格局,因為塑煉銻塑料膜建筑物料有機會逐年度抑制懸架鍵的現實存在,導致也可以抑制表游戲界面組合。在陽光直曬星能電瓶板充電功率功率元器件封裝的軟件的方面,一些通病機械性能是增加功率功率元器件封裝光電物料機械性能的至關重要的問題產品之一。做一類新光伏系統發電建筑物料,在策略上進心行了深層次的探究,同時仍沒有實踐角度來詮釋塑煉銻深能級一些通病的導致與類物質、格局之間的關系的。這對國人深層次看法塑煉銻深能級一些通病的導致新機制以及其對載流子輸運的導致原理、功率功率元器件封裝能力的增強引發了障礙。

該工作通過真空氣相法調控了薄膜元素組分,制備出富銻和富硫的硫化銻薄膜。研究通過多種元素和結構表征手段證實了材料的純度,這對于缺陷性質的分析非常重要。然后,基于深能級瞬態譜技術,對兩類硫化銻薄膜材料的缺陷性質進行了細致的表征。發現硫化銻中陰陽離子的反位缺陷是該材料的主要缺陷形式,并表現出顯著的陰陽離子化學計量比的依賴關系。相比于富銻的Sb2S3太陽能電池,富硫的硫化銻薄膜材料深能級缺陷種類少,濃度低,捕獲截面小,對載流子壽命危害較輕,更有利于提高器件的性能。同時,因其一維結構的特點,該材料也顯示出對間隙缺陷的包容性,在間隙的位置引入雜質并不會降低載流子的壽命,從而為調控該材料的性能提供了一個新的思路。

論文題目的首位小說作品是我們國生物學合理科技院校電催化與板材生物學合理系醫學博士生連偉濤,網絡通訊小說作品為我們國生物學合理科技院校電催化與板材生物學合理系陳濤專家。

該項研究得到了國家自然科學基金委、科技部、合肥微尺度物質科學國家研究中心的支持。

稿件連接:


(生物與文件有效職業學院、杭州微尺幅雜質有效的國家論述中心站、科技創新部)
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